Diodo switching onsemi, Superficie, 23.4 A 650 V, TO-252, Singolo, 3 Pin

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Codice RS:
202-7285
Codice costruttore:
FFSD2065B
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima diretta If

23.4A

Configurazione diodi

Singolo

Tipo prodotto

Diodo switching

Tipo montaggio

Superficie

Sottotipo

Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC)

Tipo di package

TO-252

Numero pin

3

Dissipazione di potenza massima Pd

160mW

Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm

650V

Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm

763A

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima indiretta Vf

2.4V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.39mm

Altezza

10.41mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK


I diodi Schottky SiC (carburo di silicio) ON Semiconductor utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendente dalla temperatura e eccellenti prestazioni termiche definiscono il carburo di silicio come la nuova generazione di semiconduttori di alimentazione.

Elevata capacità di corrente di picco

Coefficiente di temperatura positivo

Facilità di collegamento in parallelo

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