Diodo switching onsemi, Superficie, 23.4 A 650 V, TO-252, Singolo, 3 Pin FFSD2065B
- Codice RS:
- 202-7286
- Codice costruttore:
- FFSD2065B
- Costruttore:
- onsemi
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 202-7286
- Codice costruttore:
- FFSD2065B
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima diretta If | 23.4A | |
| Tipo prodotto | Diodo switching | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Sottotipo | Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Numero pin | 3 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 160mW | |
| Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 650V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 763A | |
| Tensione massima indiretta Vf | 2.4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 10.41mm | |
| Larghezza | 2.39mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima diretta If 23.4A | ||
Tipo prodotto Diodo switching | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Sottotipo Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Numero pin 3 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 160mW | ||
Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 650V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 763A | ||
Tensione massima indiretta Vf 2.4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 10.41mm | ||
Larghezza 2.39mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
I diodi Schottky SiC (carburo di silicio) ON Semiconductor utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendente dalla temperatura e eccellenti prestazioni termiche definiscono il carburo di silicio come la nuova generazione di semiconduttori di alimentazione.
Elevata capacità di corrente di picco
Coefficiente di temperatura positivo
Facilità di collegamento in parallelo
Link consigliati
- Diodo switching onsemi 23.4 A 650 V Singolo, 3 Pin
- Diodo onsemi 18 A TO-252 3 Pin
- Diodo onsemi 9.1 A TO-252 3 Pin
- Diodo onsemi 11.6 A TO-252 3 Pin
- Diodo onsemi FFSD1065A 18 A TO-252 3 Pin
- Diodo onsemi FFSD0865B 11.6 A TO-252 3 Pin
- Diodo onsemi FFSD0665B 9.1 A TO-252 3 Pin
- Diodo Schottky onsemi 11.6 A TO-252 3 Pin
