SiC Schottky Power Integrations, Foro passante, 12 A 600 V, TO-220, Singolo, 2 Pin QH12TZ600Q
- Codice RS:
- 231-8074
- Codice costruttore:
- QH12TZ600Q
- Costruttore:
- Power Integrations
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- Codice RS:
- 231-8074
- Codice costruttore:
- QH12TZ600Q
- Costruttore:
- Power Integrations
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Power Integrations | |
| Corrente massima diretta If | 12A | |
| Tipo prodotto | SiC Schottky | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Sottotipo | SiC Schottky | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Numero pin | 2 | |
| Tensione massima indiretta Vf | 3.1V | |
| Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 600V | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 100A | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tempo di recupero inverso di picco trr | 20.5ns | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 61mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 30.73mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Power Integrations | ||
Corrente massima diretta If 12A | ||
Tipo prodotto SiC Schottky | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Sottotipo SiC Schottky | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Numero pin 2 | ||
Tensione massima indiretta Vf 3.1V | ||
Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 600V | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 100A | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tempo di recupero inverso di picco trr 20.5ns | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 61mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 30.73mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Power Integrations diodo di ricambio SiC serie H Qspeed ha il QRR più basso di qualsiasi diodo in silicio da 600 V. Le sue caratteristiche di recupero aumentano l'efficienza, riducono le EMI ed eliminano i circuiti di protezione. Sostituisce i diodi SiC per prestazioni di efficienza simili in applicazioni ad alta frequenza di commutazione.
Caratteristiche e vantaggi
QRR basso, IRRM basso, TRR basso
Capacità DIF/dt elevata (1000 A/μs)
Recupero morbido
Qualifica AEC-Q101
Fab, assemblaggio e test certificati IATF 16949
Elimina la necessità di circuiti di protezione
Riduce le dimensioni e il numero dei componenti del filtro EMI
Consente una commutazione estremamente rapida
Applications
Correzione del fattore di potenza diodo boost nel caricabatteria di bordo
Raddrizzatore di uscita del caricabatteria di bordo
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