Diodo TVS onsemi 2, Bidirezionale, Superficie, breakdown 26.2 V 350 W, SOT-23, 3 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

207,00 €

(IVA esclusa)

252,00 €

(IVA inclusa)

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Per bobina*
3000 +0,069 €207,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
102-2281
Codice costruttore:
NUP2105LT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Configurazione diodi

Serie

Direzione

Bidirezionale

Tipo prodotto

Diodo TVS

Tensione minima di breakdown Vbr

26.2V

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

SOT-23

Tensione massima di stand-off inversa Vwm

24V

Numero pin

3

Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm

350W

Corrente di test It

1mA

Minima temperatura operativa

-55°C

Protezione ESD

Corrente di picco massima impulso Ippm

8A

Tensione di blocco VC

44V

Numero elementi per chip

2

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.94mm

Larghezza

1.3mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Corrente massima di dispersione inversa

100nA

Paese di origine:
CZ

Protezione bus CAN a doppia linea NUP2105L, NUP3105L


On Semiconductor NUP2105L/NUP3105L Le protezioni CAN-Bus dual Forniscono una protezione bidirezionale per ciascuna linea dati, poiché presenta il pacchetto compatto SOT-23 che aiuta l'affidabilità del sistema e soddisfa i rigorosi requisiti EMI.

Features


Potenza Peak 3350W per linea

Bassa corrente di dispersione in retromarcia (<100 nA)

Velocità dei dati CAN alta velocità a bassa capacità

Compatibilità IEC:

IEC 61000−4−2 (ESD): livello 4

IEC 61000−4−4 (EFT): 40 A – 5/50 ns (50 A - 5/50 ns per NUP3105L)

IEC 61000-4-5 (illuminazione) 8 A (8/20 μs

Grado di infiammabilità UL 94 V-0

Prefisso SZ per applicazioni automobilistiche e di altro tipo che richiedono un'unica soluzione

Requisiti di modifica del sito e del controllo; AEC-Q101 qualificato e

Capacità PPAP

Applications


-Sistemi di distribuzione intelligente (SDS)

- Reti di Controllo Industriale

Reti automobilistiche

- CAN alta e bassa velocità

- CAN Fault-Tolerant

Soppressori di tensioni transitorie, ON Semiconductor


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