Diodo TVS STMicroelectronics 1, Unidirezionale, Superficie, breakdown 6.9 V 1.1 kW, QFN, 2 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 8000 unità*

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Codice RS:
163-7317
Codice costruttore:
ESDA8P80-1U1M
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Configurazione diodi

Array

Direzione

Unidirezionale

Tipo prodotto

Diodo TVS

Tensione minima di breakdown Vbr

6.9V

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

QFN

Tensione massima di stand-off inversa Vwm

6.3V

Numero pin

2

Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm

1.1kW

Tensione di blocco VC

13.2V

Corrente di test It

1mA

Corrente di picco massima impulso Ippm

80A

Protezione ESD

Sì

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero elementi per chip

1

Lunghezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.1 mm

Altezza

0.55mm

Corrente massima di dispersione inversa

200nA

Standard automobilistico

No

I dispositivi di protezione da sovratensione della linea di alimentazione di ST supportano applicazioni come box satellitari (LNB), convertitori C.C.-C.C. ad alta potenza e guide di alimentazione per telecomunicazioni. La serie ITA è ottimizzata per le applicazioni industriali, le serie SLVU e PEP01 per Ethernet o PoE, la serie STIEC45 per le guide di alimentazione C.C.

Capacità di resistenza alla sovracorrente fino a 500 A

Ampia gamma di contenitori che include i contenitori multi-linea per i dispositivi a potenza elevata

Dispositivi ottimizzati per il supporto di applicazioni specifiche

ESDA8P80-1U1M è un diodo TVS unidirezionale a linea singola progettato per proteggere linea di alimentazione contro EOS e i transienti ESD. Il dispositivo è ideale per le applicazioni che richiedono TVS ad alta potenza e poco spazio sulla scheda

Bassa tensione di bloccaggio

Potenza di impulso di picco tipica:

1100 W (8/20 μs)

Tensione in eccesso: 6,3 V

Diodo unidirezionale

Bassa corrente di dispersione:

0,2 μA a 25 °C

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