Diodo TVS STMicroelectronics, ESDA8P80-1U1M 1, Unidirezionale, Superficie, breakdown 6.9 V 1.1 kW, QFN, 2 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
163-9781
Codice costruttore:
ESDA8P80-1U1M
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

Diodo TVS

Configurazione diodi

Array

Direzione

Unidirezionale

Tensione minima di breakdown Vbr

6.9V

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

QFN

Tensione massima di stand-off inversa Vwm

6.3V

Numero pin

2

Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm

1.1kW

Tensione di blocco VC

13.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Corrente di picco massima impulso Ippm

80A

Protezione ESD

Sì

Corrente di test It

1mA

Numero elementi per chip

1

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.55mm

Lunghezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.1 mm

Corrente massima di dispersione inversa

200nA

Standard automobilistico

No

I dispositivi di protezione da sovratensione della linea di alimentazione di ST supportano applicazioni come box satellitari (LNB), convertitori C.C.-C.C. ad alta potenza e guide di alimentazione per telecomunicazioni. La serie ITA è ottimizzata per le applicazioni industriali, le serie SLVU e PEP01 per Ethernet o PoE, la serie STIEC45 per le guide di alimentazione C.C.

Capacità di resistenza alla sovracorrente fino a 500 A

Ampia gamma di contenitori che include i contenitori multi-linea per i dispositivi a potenza elevata

Dispositivi ottimizzati per il supporto di applicazioni specifiche

ESDA8P80-1U1M è un diodo TVS unidirezionale a linea singola progettato per proteggere linea di alimentazione contro EOS e i transienti ESD. Il dispositivo è ideale per le applicazioni che richiedono TVS ad alta potenza e poco spazio sulla scheda

Bassa tensione di bloccaggio

Potenza di impulso di picco tipica:

1100 W (8/20 μs)

Tensione in eccesso: 6,3 V

Diodo unidirezionale

Bassa corrente di dispersione:

0,2 μA a 25 °C

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