Array diodi TVS Littelfuse, Bidirezionale, , SMD, SOIC
- Codice RS:
- 171-3895
- Codice costruttore:
- SP721ABTG
- Costruttore:
- Littelfuse
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- Codice RS:
- 171-3895
- Codice costruttore:
- SP721ABTG
- Costruttore:
- Littelfuse
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Littelfuse | |
| Configurazione diodi | Array | |
| Direzione | Bidirezionale | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Corrente di picco impulso massima | ±2A | |
| Protezione ESD | Sì | |
| Numero di elementi per chip | 6 | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Massima temperatura operativa | +105 °C | |
| Dimensioni | 5 x 4 x 1.5mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Massima corrente di perdita inversa | 20µA | |
| Capacità | 3pF | |
| Corrente di test | 1A | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Littelfuse | ||
Configurazione diodi Array | ||
Direzione Bidirezionale | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Corrente di picco impulso massima ±2A | ||
Protezione ESD Sì | ||
Numero di elementi per chip 6 | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Massima temperatura operativa +105 °C | ||
Dimensioni 5 x 4 x 1.5mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Massima corrente di perdita inversa 20µA | ||
Capacità 3pF | ||
Corrente di test 1A | ||
Altezza 1.5mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
- Paese di origine:
- CN
SP721 è un array di strutture bipolari SCR/diodo per la protezione dalle ESD e dalla sovratensione per circuiti di ingresso sensibili. SP721 è dotato di 2 strutture con dispositivo SCR/diodo di protezione per ingresso. Vi sono in totale 6 ingressi disponibili da poter usare per proteggere fino a 6 linee di segnale esterne o linee bus. La protezione da sovratensione va da IN (pin 1 - 3 e pin 5 - 7) a V+ o V-. Le strutture SCR sono progettate per attivarsi rapidamente alla soglia di un diodo +VBE sopra V+ (pin 8) o di un diodo -VBE sotto V- (pin 4). Da un ingresso IN, qualora un impulso transiente causi laumento della tensione dellingresso a un valore maggiore di una VBE sopra V+, viene attivato un blocco a V+. Un blocco simile viene attivato a V- qualora un impulso negativo, ovvero una VBE sotto V-, venga applicato a un ingresso IN.
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