Diodo TVS Vishay, SMF10A-E3-08 1, Unidirezionale, Superficie, breakdown 11.1 V 200 W, DO-219, 2 Pin

Codice RS:: 180-8159
Codice costruttore:: SMF10A-E3-08
Costruttore:: Vishay

Diodo TVS Vishay, SMF10A-E3-08 1, Unidirezionale, Superficie, breakdown 11.1 V 200 W, DO-219, 2 Pin

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Codice RS:: 180-8159
Codice costruttore:: SMF10A-E3-08
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Configurazione diodi	Singolo
	Tipo prodotto	Diodo TVS
	Direzione	Unidirezionale
	Tensione minima di breakdown Vbr	11.1V
	Tipo montaggio	Superficie
	Tipo di package	DO-219
	Tensione massima di stand-off inversa Vwm	10V
	Numero pin	2
	Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm	200W
	Corrente di test It	1mA
	Protezione ESD	Sì
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Corrente di picco massima impulso Ippm	11.8A
	Tensione di blocco VC	17V
	Numero elementi per chip	1
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.08mm
	Larghezza	1.9 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	2.9mm
	Corrente massima di dispersione inversa	0.1μA
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Configurazione diodi Singolo
	Tipo prodotto Diodo TVS
	Direzione Unidirezionale
	Tensione minima di breakdown Vbr 11.1V
	Tipo montaggio Superficie
	Tipo di package DO-219
	Tensione massima di stand-off inversa Vwm 10V
	Numero pin 2
	Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm 200W
	Corrente di test It 1mA
	Protezione ESD Sì
	Minima temperatura operativa -55°C
	Corrente di picco massima impulso Ippm 11.8A
	Tensione di blocco VC 17V
	Numero elementi per chip 1
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.08mm
	Larghezza 1.9 mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 2.9mm
	Corrente massima di dispersione inversa 0.1μA
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet

Paese di origine:: CN

Diodo TVS Vishay

Il contenitore Vishay SMF DO-219AB, diodo TVS unidirezionale con protezione ESD a montaggio superficiale ha una tensione di stand-off di 10V e tensione di scarica distruttiva inversa di 11,1 V. Ha una corrente nominale di impulso di Peak massima di 11,8 A.

Caratteristiche e vantaggi

Capacità di potenza di impulso di Peak di • 200W con una forma d'onda di 10/20 1000μs, velocità di ripetizione (duty cycle): 0,01%

• capacità ESD in conformità con AEC-Q101: Modello corpo umano: Classe H3B: > 8 kV

• di immunità ESD conf. IEC 61000-4-2: 30kV ±di scarica dei contatti e 30kV ±di scarica dell'aria

• componente senza alogeni e senza piombo (Pb)

• bassa resistenza ai picchi incrementali, eccellente capacità di bloccaggio

• tecnologia a bassa rumorosità - tempo di risposta rapido

• contenitore a profilo basso

• la temperatura di giunzione d'esercizio è compresa tra -65 °C e 175 °C.

• saldatura a onda e a riflusso

Applications

• scarico del carico nel settore automobilistico

Protezioni per elettronica sensibile • come circuiti integrati, MOSFET, linee di segnale di unità sensore per consumatori, computer, industrie e telecomunicazioni

Certificazioni

• Qualifica AEC-Q101

• per il settore automobilistico

• e3

• IEC 61000-4-2

• J-STD-020

• registrazione UL 94 V-0