Diodo TVS onsemi, MMBZ6V8ALT1G 2, Unidirezionale, Superficie, breakdown 6.46 V 24 W, SOT-23, 3 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
184-1275
Codice costruttore:
MMBZ6V8ALT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Configurazione diodi

Anodo comune

Direzione

Unidirezionale

Tipo prodotto

Diodo TVS

Tensione minima di breakdown Vbr

6.46V

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

SOT-23

Tensione massima di stand-off inversa Vwm

4.5V

Numero pin

3

Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm

24W

Minima temperatura operativa

-55°C

Corrente di picco massima impulso Ippm

2.5A

Tensione di blocco VC

9.6V

Corrente di test It

1mA

Protezione ESD

Sì

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero elementi per chip

2

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.01mm

Serie

MMBZ A

Larghezza

1.4mm

Corrente massima di dispersione inversa

500nA

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il Pacchetto Sot-23 Consente Due Configurazioni Unidirezionali Separate O Una Configurazione Bidirezionale Singola

Gamma di tensione inversa Peak di lavoro - da 3 V a 26 V.

Gamma di tensione di breakdown Zener standard - da 5,6 V a 33 V.

Peak Power - 24 o 40 Watts @ 1,0 ms (Unidirezionale)

Classe ESD di classe N (superiore a 16 kV) per modello corpo umano

Tensione Di Serraggio massima @ Corrente Peak Pulse

Bassa Perdita< 5,0 μ A

Caratteristiche Meccaniche:

Custodia: Senza vuoti, stampata con trasferimento, in plastica termoindurente

Finitura: Finitura resistente alla corrosione, facilmente saldabile

TEMPERATURA MASSIMA DEL CONTENITORE PER SALDATURA: 260 °C per 10 Secondi

Pacchetto progettato per un assemblaggio automatico ottimale della scheda

Contenitore di piccole dimensioni per applicazioni ad alta densità

Disponibile in nastro e bobina da 8 mm

Sono disponibili contenitori senza piombo

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