Diodo TVS onsemi, SM05T1G 2, Unidirezionale, Superficie, breakdown 6.2 V 300 W, SOT-23, 3 Pin
- Codice RS:
- 184-1447
- Codice costruttore:
- SM05T1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 184-1447
- Codice costruttore:
- SM05T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Diodo TVS | |
| Direzione | Unidirezionale | |
| Configurazione diodi | Anodo comune | |
| Tensione minima di breakdown Vbr | 6.2V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tensione massima di stand-off inversa Vwm | 5V | |
| Numero pin | 3 | |
| Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm | 300W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione di blocco VC | 9.8V | |
| Protezione ESD | Sì | |
| Corrente di picco massima impulso Ippm | 17A | |
| Corrente di test It | 1mA | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Altezza | 1.01mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Corrente massima di dispersione inversa | 10μA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Diodo TVS | ||
Direzione Unidirezionale | ||
Configurazione diodi Anodo comune | ||
Tensione minima di breakdown Vbr 6.2V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tensione massima di stand-off inversa Vwm 5V | ||
Numero pin 3 | ||
Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm 300W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione di blocco VC 9.8V | ||
Protezione ESD Sì | ||
Corrente di picco massima impulso Ippm 17A | ||
Corrente di test It 1mA | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Altezza 1.01mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Corrente massima di dispersione inversa 10μA | ||
- Paese di origine:
- CN
Questi diodi monolitici al silicio sono progettati per applicazioni che richiedono capacità di protezione. Sono destinati all'uso in apparecchiature sensibili a tensione e ESD come computer, stampanti, macchine aziendali, sistemi di comunicazione, apparecchiature mediche e altre applicazioni. Il design anodico comune a doppia giunzione protegge due linee separate utilizzando un solo contenitore. Questi dispositivi sono ideali per le situazioni in cui lo spazio su scheda è di qualità superiore.
Il Pacchetto Sot–23 Consente Due Configurazioni Unidirezionali Separate O Una Configurazione Bidirezionale Singola
Tensione Peak Reverse di lavoro 5 V.
Gamma di tensione di breakdown Zener standard da 6,2 V a 7,3 V.
Peak Power – 300 Watt (8 X 20 μs)
Bassa dispersione
Caratteristiche Meccaniche:
Custodia: Senza vuoti, stampata con trasferimento, in plastica termoindurente
Finitura: Finitura resistente alla corrosione, facilmente saldabile
TEMPERATURA MASSIMA DEL CONTENITORE PER SALDATURA: 260 °C PER 10 SECONDI
Pacchetto progettato per un assemblaggio automatico ottimale della scheda
Contenitore di piccole dimensioni per applicazioni ad alta densità. Disponibile in nastro e bobina da 8 mm.
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