Diodo TVS onsemi, ESD5581N2T5G 1, Bidirezionale, Superficie, breakdown 5.2 V 250 mW, X2-DFN, 2 Pin
- Codice RS:
- 185-9076
- Codice costruttore:
- ESD5581N2T5G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 35 unità*
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Unità | Per unità | Per confezione* |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 185-9076
- Codice costruttore:
- ESD5581N2T5G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Direzione | Bidirezionale | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Tipo prodotto | Diodo TVS | |
| Tensione minima di breakdown Vbr | 5.2V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | X2-DFN | |
| Tensione massima di stand-off inversa Vwm | 5V | |
| Numero pin | 2 | |
| Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm | 250mW | |
| Corrente di test It | 1mA | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione di blocco VC | 12V | |
| Corrente di picco massima impulso Ippm | 6A | |
| Protezione ESD | Sì | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Altezza | 0.28mm | |
| Larghezza | 0.36 mm | |
| Lunghezza | 0.66mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Corrente massima di dispersione inversa | 100nA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Direzione Bidirezionale | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Tipo prodotto Diodo TVS | ||
Tensione minima di breakdown Vbr 5.2V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package X2-DFN | ||
Tensione massima di stand-off inversa Vwm 5V | ||
Numero pin 2 | ||
Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm 250mW | ||
Corrente di test It 1mA | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione di blocco VC 12V | ||
Corrente di picco massima impulso Ippm 6A | ||
Protezione ESD Sì | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Altezza 0.28mm | ||
Larghezza 0.36 mm | ||
Lunghezza 0.66mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Corrente massima di dispersione inversa 100nA | ||
- Paese di origine:
- CN
L'ESD5581 è progettato per proteggere i componenti sensibili alla tensione che richiedono una bassa capacità dagli eventi ESD. Eccellente capacità di bloccaggio, bassa capacità e bassa dispersione, e tempi di risposta rapidi, rendono questi componenti perfetti per la protezione ESD in progetti dove lo spazio a bordo scheda è essenziale. A causa della sua bassa capacità, la parte è adatta per l'uso in progetti ad alta frequenza come le applicazioni ad alta velocità USB 2.0.
Capacità bassa, 5,0 μF (max)
Bassa tensione di serraggio, 10 V.
Dimensioni corpo piccolo, 0,62 mm x 0,32 mm
Altezza corpo bassa, 0,3 mm
Tensione di stand-off, 5 V.
Applicazioni
ID USB
GPIO
Protezione μSD
Prodotti finali
Unità flash
Dischi rigidi
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