Diodo TVS onsemi 1, Bidirezionale, Foro passante, breakdown 14.3 V 600 W, DO-15, 2 Pin
- Codice RS:
- 543-8797
- Codice costruttore:
- P6KE15CA
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 543-8797
- Codice costruttore:
- P6KE15CA
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Tipo prodotto | Diodo TVS | |
| Direzione | Bidirezionale | |
| Tensione minima di breakdown Vbr | 14.3V | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di package | DO-15 | |
| Tensione massima di stand-off inversa Vwm | 12.8V | |
| Numero pin | 2 | |
| Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm | 600W | |
| Corrente di picco massima impulso Ippm | 28A | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione di blocco VC | 21.2V | |
| Corrente di test It | 1mA | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Serie | P6KE | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 3.56mm | |
| Lunghezza | 7.62mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Corrente massima di dispersione inversa | 5μA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Tipo prodotto Diodo TVS | ||
Direzione Bidirezionale | ||
Tensione minima di breakdown Vbr 14.3V | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di package DO-15 | ||
Tensione massima di stand-off inversa Vwm 12.8V | ||
Numero pin 2 | ||
Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm 600W | ||
Corrente di picco massima impulso Ippm 28A | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione di blocco VC 21.2V | ||
Corrente di test It 1mA | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Serie P6KE | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 3.56mm | ||
Lunghezza 7.62mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Corrente massima di dispersione inversa 5μA | ||
Non conforme
Diodi TVS assiali bidirezionali da 600 W, serie P6KE, Fairchild Semiconductor
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