Array diodi TVS onsemi, Unidirezionale, , SMD, bloccaggio 25V, breakdown 6V, SOIC
- Codice RS:
- 802-4180
- Codice costruttore:
- NUP4201DR2G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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| 100 - 240 | 0,565 € | 5,65 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 802-4180
- Codice costruttore:
- NUP4201DR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Configurazione diodi | Array complesso | |
| Direzione | Unidirezionale | |
| Tensione massima di bloccaggio | 25V | |
| Tensione minima di breakdown | 6V | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Dissipazione della potenza di picco dell'impulso | 500W | |
| Protezione ESD | Sì | |
| Numero di elementi per chip | 4 | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Dimensioni | 5 x 4 x 1.5mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Corrente di test | 1mA | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Massima corrente di perdita inversa | 10µA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Configurazione diodi Array complesso | ||
Direzione Unidirezionale | ||
Tensione massima di bloccaggio 25V | ||
Tensione minima di breakdown 6V | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Dissipazione della potenza di picco dell'impulso 500W | ||
Protezione ESD Sì | ||
Numero di elementi per chip 4 | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Dimensioni 5 x 4 x 1.5mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Corrente di test 1mA | ||
Altezza 1.5mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Massima corrente di perdita inversa 10µA | ||
Soppressori di transienti per protezione ESD per dati ad alta velocità
Soppressori di tensioni transitorie, ON Semiconductor
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