Diodo di protezione ESD onsemi, NUF2114MNT1G 4, Bidirezionale, Superficie, breakdown 13.7 V 0.36 W, DFN, 8 Pin
- Codice RS:
- 805-1918
- Codice costruttore:
- NUF2114MNT1G
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 805-1918
- Codice costruttore:
- NUF2114MNT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Direzione | Bidirezionale | |
| Configurazione diodi | Array | |
| Tipo prodotto | Diodo di protezione ESD | |
| Tensione minima di breakdown Vbr | 13.7V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tensione massima di stand-off inversa Vwm | 12V | |
| Numero pin | 8 | |
| Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm | 0.36W | |
| Corrente di test It | 1mA | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Protezione ESD | Sì | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero elementi per chip | 4 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Corrente massima di dispersione inversa | 100nA | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Direzione Bidirezionale | ||
Configurazione diodi Array | ||
Tipo prodotto Diodo di protezione ESD | ||
Tensione minima di breakdown Vbr 13.7V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package DFN | ||
Tensione massima di stand-off inversa Vwm 12V | ||
Numero pin 8 | ||
Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm 0.36W | ||
Corrente di test It 1mA | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Protezione ESD Sì | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero elementi per chip 4 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2mm | ||
Altezza 0.95mm | ||
Corrente massima di dispersione inversa 100nA | ||
Standard automobilistico No | ||
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