Chip EEPROM I2C STMicroelectronics, da 32kbit, SOIC, SMD, 8 pin
- Codice RS:
- 190-7553
- Codice costruttore:
- M24C32-FMN6TP
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 confezione da 50 unità*
9,40 €
(IVA esclusa)
11,45 €
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 190-7553
- Codice costruttore:
- M24C32-FMN6TP
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Dimensioni memoria | 32kbit | |
| Interfacce | Seriale I2C | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Organizzazione | 4 K x 8 | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 1,7 V | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 5,5 V | |
| Tensione di programmazione | 1.7 → 5.5V | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Dimensioni | 5 x 4 x 1.5mm | |
| Numero di parole | 4 K | |
| Data Retention | 200anno | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 450ns | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Dimensioni memoria 32kbit | ||
Interfacce Seriale I2C | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Organizzazione 4 K x 8 | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 1,7 V | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 5,5 V | ||
Tensione di programmazione 1.7 → 5.5V | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Dimensioni 5 x 4 x 1.5mm | ||
Numero di parole 4 K | ||
Data Retention 200anno | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Tempo di accesso casuale massimo 450ns | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q100 | ||
Compatibile con tutte le modalità bus I2C:
1 MHz
400 kHz
100 kHz
Matrice di memoria:
32 Kbit (4 Kbyte) di EEPROM
Dimensioni pagina: 32 byte
Pagina aggiuntiva bloccabile in scrittura
Tensione di alimentazione singola:
Da 1,7 V a 5,5 V oltre -40 °C / +85 °C.
Da 1,6 V a 5,5 V oltre -20 °C / +85 °C.
Scrivi:
Scrittura byte entro 5 ms.
Scrittura pagina entro 5 ms.
Modalità di lettura casuale e sequenziale
Protezione da scrittura dell'intero array di memoria
Protezione ESD/latch-up migliorata
Più di 4 milioni di cicli di scrittura
Oltre 200 anni di conservazione dei dati
Involucri
PDIP8
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
WLCSP
UFDFPN5
Wafer non segato (ogni die viene testato)
1 MHz
400 kHz
100 kHz
Matrice di memoria:
32 Kbit (4 Kbyte) di EEPROM
Dimensioni pagina: 32 byte
Pagina aggiuntiva bloccabile in scrittura
Tensione di alimentazione singola:
Da 1,7 V a 5,5 V oltre -40 °C / +85 °C.
Da 1,6 V a 5,5 V oltre -20 °C / +85 °C.
Scrivi:
Scrittura byte entro 5 ms.
Scrittura pagina entro 5 ms.
Modalità di lettura casuale e sequenziale
Protezione da scrittura dell'intero array di memoria
Protezione ESD/latch-up migliorata
Più di 4 milioni di cicli di scrittura
Oltre 200 anni di conservazione dei dati
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