Memoria EEPROM seriale I2C STMicroelectronics, da 64kbit, UFDFPN, SMD, 5 pin

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Codice RS:
239-6327
Codice costruttore:
M24C64-FMH6TG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Dimensioni memoria

64kbit

Interfacce

Seriale I2C

Tipo di package

UFDFPN

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

5

Organizzazione

8K x 8 bit

Tensione di alimentazione operativa minima

1,7 V

Tensione di alimentazione operativa massima

5,5 V

Tensione di programmazione

1.7 → 5.5V

Numero di bit per parola

8bit

Dimensioni

1.7 x 1.4 x 0.55mm

Data Retention

200anno

Numero di parole

8k

Minima temperatura operativa

-40 °C

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

Massima temperatura operativa

+85 °C

Tempo di accesso casuale massimo

450ns

EEPROM bus I2C seriale a 64 Kbit


Descrizione


L'M24C64 è una EEPROM (memoria programmabile cancellabile elettricamente) compatibile con I2C da 64 Kbit organizzata come 8K x 8 bit.

In un intervallo di temperatura ambiente di -40 °C / +85 °C, il modello M24C64-W può funzionare con una tensione di alimentazione compresa tra 2,5 V e 5,5 V, il modello M24C64-R può funzionare con una tensione di alimentazione compresa tra 1,8 V e 5,5 V e i modelli M24C64-F e M24C64-DF possono funzionare con una tensione di alimentazione compresa tra 1,7 V e 5,5 V (il modello M24C64-F può funzionare anche fino a 1,6 V, in alcune condizioni restrittive).

Il modello M24C64-D offre una pagina aggiuntiva, denominata pagina di identificazione (32 byte). La pagina di identificazione può essere utilizzata per memorizzare i parametri dell'applicazione sensibili che possono essere (in seguito) bloccati in modo permanente in modalità di sola lettura.

Caratteristiche


Compatibile con le seguenti modalità di bus I2C:
1 MHz
400 kHz
100 kHz

Array di memoria:
64 Kbit (8 Kbyte) di EEPROM

Dimensione pagina: 32 byte
Ulteriore pagina bloccabile in scrittura (codici d'ordine M24C64-D)

Tensione di alimentazione singola:
Da 1,7 V a 5,5 V oltre -40 °C / +85 °C
1,6 V → 5,5 V su 0 °C / +85 °C

Scrivere:
Byte in scrittura entro 5 ms
Scrittura della pagina entro 5 ms


Modalità di lettura casuale e sequenziale

Protezione da scrittura dell'intero array di memoria

Protezione ESD/latch-up potenziata

Oltre 4 milioni di cicli di scrittura

Oltre 200 anni di conservazione dei dati

Contenitori:
SO8N (ECOPACK2)
TSSOP8 (ECOPACK2)
UFDFPN (ECOPACK2)
WLCSP (ECOPACK2)
Wafer non seghettato (ogni stampo viene testato)

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