Fototransistor onsemi QSE113 25 ° Infrarossi, Foro passante 2 Side Looker package
- Codice RS:
- 802-3317
- Codice costruttore:
- QSE113
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 802-3317
- Codice costruttore:
- QSE113
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Fototransistor | |
| Spettri rilevati | Infrarossi | |
| Tempo di caduta tipico | 8μs | |
| Lunghezza d'onda di picco | 880nm | |
| Tempo di salita tipico | 8μs | |
| Numero di canali | 1 | |
| Corrente di buio massima | 100nA | |
| Angolo mezza sensibilità | 25 ° | |
| Numero aghi | 2 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di package | Side Looker | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 100°C | |
| Altezza | 5.08mm | |
| Lunghezza | 4.44mm | |
| Corrente collettore | 1.5mA | |
| Diametro | 2.41mm | |
| Larghezza | 2.22mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione emettitore collettore | 30V | |
| Tensione collettore emettitore | 5V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Fototransistor | ||
Spettri rilevati Infrarossi | ||
Tempo di caduta tipico 8μs | ||
Lunghezza d'onda di picco 880nm | ||
Tempo di salita tipico 8μs | ||
Numero di canali 1 | ||
Corrente di buio massima 100nA | ||
Angolo mezza sensibilità 25 ° | ||
Numero aghi 2 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di package Side Looker | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 100°C | ||
Altezza 5.08mm | ||
Lunghezza 4.44mm | ||
Corrente collettore 1.5mA | ||
Diametro 2.41mm | ||
Larghezza 2.22mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione emettitore collettore 30V | ||
Tensione collettore emettitore 5V | ||
Fototransistor a infrarossi serie QSE113/QSE114
La serie QSE113/QSE114, di Fairchild Semiconductor, è una gamma di fototransistor a infrarossi al silicio. Sono alloggiati in un contenitore a foro passante per la visione laterale (SL). I contenitori in plastica nera sono dotati di un ampio angolo e sono trasparenti alla luce IR.
Caratteristiche dei fototransistor a infrarossi QSE113/QSE114:
Fototransistor a infrarossi al silicio NPN
Tipo di contenitore: a rilevamento laterale
Angolo di ricezione mediamente ampio, 50°
Materiale e colore del contenitore: epossidico nero
Filtro di soppressione della luce del giorno
Elevata sensibilità
Temperatura d'esercizio: da -40 °C a +100 °C
Fototransistor IR, Fairchild Semiconductor
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