Microchip AEC-Q100 Gate driver MCP14A0303T-E/MNYVAO Tipo doppio, 3 A 2, SOIC, 8 Pin 4.5 V
- Codice RS:
- 631-350
- Codice costruttore:
- MCP14A0303T-E/MNYVAO
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 bobina da 3300 unità*
4474,80 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 1,356 € | 4.474,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 631-350
- Codice costruttore:
- MCP14A0303T-E/MNYVAO
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | Gate driver | |
| Corrente di uscita | 3A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tempo di discesa | 17ns | |
| Tipo di driver | Tipo doppio | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tempo di salita | 17ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 4.5V | |
| Tensione massima di alimentazione | 4.5V | |
| Numero driver | 2 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q100 | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Serie | MCP14A0303/4/5 | |
| Larghezza | 3 mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto Gate driver | ||
Corrente di uscita 3A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tempo di discesa 17ns | ||
Tipo di driver Tipo doppio | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tempo di salita 17ns | ||
Tensione minima di alimentazione 4.5V | ||
Tensione massima di alimentazione 4.5V | ||
Numero driver 2 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q100 | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 0.85mm | ||
Serie MCP14A0303/4/5 | ||
Larghezza 3 mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- TH
I driver per gate MOSFET ad alta velocità a doppia uscita di Microchip sono in grado di fornire fino a 3 A di corrente di picco operando con un'alimentazione singola da 4,5 V a 18 V. Questi driver per gate MOSFET sono caratterizzati da bassa corrente shoot-through, tempi di salita e discesa rapidi e brevi ritardi di propagazione, che li rendono ideali per applicazioni ad alta frequenza di commutazione.
Elevata capacità di pilotaggio del carico capacitivo di 1800 pF in 12 ns
Ingresso con soglia di bassa tensione e abilitazione con isteresi
Protezione latch-up e resistenza a una corrente inversa di 0,5 A
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