onsemi MOSFET NCP51705MNTXG MOSFET, 6 A 1, QFN, 24 Pin 22V
- Codice RS:
- 178-4643
- Codice costruttore:
- NCP51705MNTXG
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 178-4643
- Codice costruttore:
- NCP51705MNTXG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 6A | |
| Numero pin | 24 | |
| Tempo di discesa | 15ns | |
| Tipo di package | QFN | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Numero di uscite | 5 | |
| Tempo di salita | 15ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 22V | |
| Numero driver | 1 | |
| Tensione massima di alimentazione | 22V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Serie | NCP51705 | |
| Larghezza | 4mm | |
| Altezza | 950μm | |
| Lunghezza | 4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 6A | ||
Numero pin 24 | ||
Tempo di discesa 15ns | ||
Tipo di package QFN | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Numero di uscite 5 | ||
Tempo di salita 15ns | ||
Tensione minima di alimentazione 22V | ||
Numero driver 1 | ||
Tensione massima di alimentazione 22V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Serie NCP51705 | ||
Larghezza 4mm | ||
Altezza 950μm | ||
Lunghezza 4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
The NCP51705 driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. To achieve the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum allowable gate voltage to the SiC MOSFET device. By providing high peak current during turn−on and turn−off, switching losses are also minimized. For improved reliability, dV/dt immunity and even faster turn−off, the NCP51705 can utilize its on−board charge pump to generate a user selectable negative voltage rail.
Allow independent Turn-ON/Turn-OFF Adjustment
Efficient SiC MOSFET Operation during the Conduction Period
Fast Turn-off and Robust dV/dt Immunity
Minimize complexity of bias supply in isolated gate drive applications
Sufficient VGS amplitude to match SiC best performance
Self protection of the design
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