onsemi No MOSFET NCP51705MNTXG MOSFET, 6 A 1, QFN, 24 Pin 22 V

Visualizza Gate driver
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

35,47 €

(IVA esclusa)

43,27 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 7690 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 903,547 €35,47 €
100 - 2403,058 €30,58 €
250 +2,651 €26,51 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-4643
Codice costruttore:
NCP51705MNTXG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

6A

Numero pin

24

Tipo di package

QFN

Tempo di discesa

15ns

Tipo di driver

MOSFET

Numero di uscite

5

Tempo di salita

15ns

Tensione minima di alimentazione

22V

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

22V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Altezza

0.95mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Lunghezza

4mm

Serie

NCP51705

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

The NCP51705 driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. To achieve the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum allowable gate voltage to the SiC MOSFET device. By providing high peak current during turn−on and turn−off, switching losses are also minimized. For improved reliability, dV/dt immunity and even faster turn−off, the NCP51705 can utilize its on−board charge pump to generate a user selectable negative voltage rail.

Allow independent Turn-ON/Turn-OFF Adjustment

Efficient SiC MOSFET Operation during the Conduction Period

Fast Turn-off and Robust dV/dt Immunity

Minimize complexity of bias supply in isolated gate drive applications

Sufficient VGS amplitude to match SiC best performance

Self protection of the design

Link consigliati