onsemi MOSFET NCV57081ADR2G MOSFET, SOIC, 8 Pin 22 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-9163
Codice costruttore:
NCV57081ADR2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Tempo di discesa

13ns

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

30ns

Tensione minima di alimentazione

22V

Tensione massima di alimentazione

22V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Serie

NCV57

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Standard automobilistico

No

I gate driver IGBT/MOSFET a canale singolo a corrente elevata di on Semiconductor−con isolamento galvanico interno da 3,75 kVrms, sono progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come morsetto attivo Miller (versione A), alimentatore negativo (versione B) e uscite driver alte e basse (OOUTH e OUTL) separate (versione C) per la massima praticità di progettazione del sistema. Il driver può ospitare un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione in ingresso e livelli di segnale da 3,3 V a 20 V e sono disponibili in un contenitore SOIC−−8 con corpo stretto.

Corrente di uscita Peak elevata (+6,5 A/−6,5 A)

La bassa caduta di tensione del morsetto elimina la necessità di alimentazione negativa

Alimentazione per evitare l'attivazione del gate spurio−(versione A)

Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso

IGBT/MOSFET, bloccaggio del gate in caso di cortocircuito

Pull down attivo IGBT/MOSFET Gate

Soglie UVLO strette per una maggiore flessibilità di polarizzazione

Ampia gamma di tensione di polarizzazione, tra cui VEE2 negativo (versione B)

Ingresso logico da 3,3 V, 5 V e 15 V.

3,75 kVRMS viso (i−o) (per soddisfare i requisiti UL1577)

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