Driver gate MOSFET NCV57081BDR2G, 22V, SOIC, 8-Pin

I gate driver IGBT/MOSFET a canale singolo a corrente elevata di on Semiconductor−con isolamento galvanico interno da 3,75 kVrms, sono progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come morsetto attivo Miller (versione A), alimentatore negativo (versione B) e uscite driver alte e basse (OOUTH e OUTL) separate (versione C) per la massima praticità di progettazione del sistema. Il driver può ospitare un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione in ingresso e livelli di segnale da 3,3 V a 20 V e sono disponibili in un contenitore SOIC−−8 con corpo stretto.

Corrente di uscita Peak elevata (+6,5 A/−6,5 A)
La bassa caduta di tensione del morsetto elimina la necessità di alimentazione negativa
Alimentazione per evitare l'attivazione del gate spurio−(versione A)
Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso
IGBT/MOSFET, bloccaggio del gate in caso di cortocircuito
Pull down attivo IGBT/MOSFET Gate
Soglie UVLO strette per una maggiore flessibilità di polarizzazione
Ampia gamma di tensione di polarizzazione, tra cui VEE2 negativo (versione B)
Ingresso logico da 3,3 V, 5 V e 15 V.
3,75 kVRMS viso (i−o) (per soddisfare i requisiti UL1577)