Renesas Electronics No MOSFET HIP2211FBZ-T7A MOSFET, 3400 mA, SOIC, 8 Pin 20 V
- Codice RS:
- 201-3366
- Codice costruttore:
- HIP2211FBZ-T7A
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 201-3366
- Codice costruttore:
- HIP2211FBZ-T7A
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli Prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 3400mA | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 365ns | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tempo di salita | 435ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 18V | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | HIP2211 | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 3400mA | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 365ns | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tempo di salita 435ns | ||
Tensione minima di alimentazione 18V | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie HIP2211 | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Altezza 1.75mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
Il driver FET NMOS half-bridge ad alta frequenza sink 4A Renesas 100V, sorgente 3A appartiene alla serie HIP2211. Questo driver ha una configurazione a 8 pin. È dotato di un ingresso PWM a tre livelli con tempo morto programmabile.
Ritardo di propagazione rapido e abbinamento con ritardo tipico 15ns e adattamento 2ns
È dotato di diodo bootstrap tipico da 0,5 O.
La tensione massima di alimentazione bootstrap di 115VDC supporta 100V sul half-bridge
Link consigliati
- Driver gate MOSFET HIP2211FBZ-T7A 3.400 ma SOIC, 8-Pin
- Driver gate MOSFET HIP2211FRTZ-T7A 3.400 ma DFN, 10-Pin
- Modulo Driver gate HIP2210FRTZ-T7A 3 A 6 → 18V 10-Pin
- Driver gate MOSFET ADP3634ARDZ 18V 8-Pin
- Driver gate MOSFET MC34151DG5 A SOIC, 8-Pin
- Driver gate MOSFET MC33152DG5 A SOIC, 8-Pin
- Driver gate MOSFET TC4427EPA5 A SOIC, 8-Pin
- Driver gate MOSFET TC4426COA5 A SOIC, 8-Pin
