Infineon No Driver gate half bridge MOSFET 1, DSO, 8 Pin 20 V

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
217-7145
Codice costruttore:
1ED44176N01FXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Driver gate half bridge

Numero pin

8

Tipo di package

DSO

Tempo di discesa

25ns

Tipo di driver

MOSFET

Numero di uscite

5

Tempo di salita

50ns

Tensione minima di alimentazione

12.7V

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

20V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Serie

1ED44176N01F

Altezza

1.75mm

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Driver gate non invertente low-side a canale singolo da 25 V Infineon EiceDRIVERTM per MOSFET e IGBT con una sorgente di 0,8 A e correnti di sink di 1,75 A in un piccolo contenitore PG-DSO8 a 8 conduttori. La protezione da sovracorrente è generalmente implementata mediante una misurazione di corrente con un comparatore e più resistenze e condensatori. 1ED44176N01F consente di risparmiare spazio e costi integrando il comparatore. Il nuovo driver gate low-side utilizza le tecnologie CMOS anti-latch proprietarie di Infineon per consentire una robusta struttura monolitica, realizzando al contempo la migliore precisione di reporting dei guasti della categoria con tolleranza di soglia OCP di +/-5%. Inoltre, la tecnologia IC di Infineon consente di realizzare un piccolo contenitore PG-DSO8 combinando l'uscita di guasto e le funzioni di abilitazione in un singolo pin.

Rilevamento della sovracorrente con ingresso di tensione positivo

Pin singolo per l'uscita di guasto e l'abilitazione

Tempo di cancellazione dei guasti programmabile

Limitazione di sottotensione

Ingressi CMOS ad attivazione Schmitt

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