Infineon Driver gate half bridge 1EDN7512BXTSA1 Driver gate, 8 A 1, SOT-23, 5 Pin 20V

Questo gate driver half-bridge è un dispositivo compatto a montaggio superficiale progettato per azionare configurazioni half-bridge MOSFET in sistemi a bassa tensione. Funziona su un'ampia gamma di alimentazione adatta per molte attività di conversione di potenza ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una commutazione rapida e un imballaggio a livello di scheda.

• La soglia di alimentazione minima di 4,2 V consente il funzionamento a bassa tensione
• La capacità di uscita di picco di 8 A supporta carichi di commutazione rapida
• Il tempo di salita di 6,5 ns riduce le perdite di transizione durante la commutazione
• Il tempo di caduta di 4,5 ns limita la tensione di intervallo di commutazione sui transistor
• Funziona fino a 150 °C per l'uso in ambienti a temperatura elevata
• Il pacchetto SOT-23-5 a montaggio superficiale semplifica i layout compatti del circuito stampato

• Adatto per l'azionamento di stadi a mezzo ponte MOSFET nei convertitori
• Ideale per moduli di potenza compatti che richiedono il montaggio superficiale
• Utilizzato con fasi di commutazione azionate da gate nel controllo dei motori
• Può essere utilizzato per topologie di conversione CC-CC a bassa tensione
• Utile nei casi in cui è necessario un ingombro ridotto e una resistenza termica

Offre due uscite configurate per pilotare una disposizione a mezzo ponte che supporta coppie MOSFET complementari.

Il dispositivo funziona in un intervallo ambiente da -40 °C a 150 °C ed è specificato per il funzionamento a tali temperature.

Il componente è dotato di un contenitore SOT-23 a cinque pin per un semplice posizionamento a montaggio superficiale.

Ogni uscita è progettata per fornire fino a 8 A al gate azionato durante gli eventi di commutazione.

Si tratta di un dispositivo a montaggio superficiale fornito in un corpo compatto SOT-23 con una larghezza ristretta di 1,6 mm per layout densi.