Infineon Driver gate half bridge 1EDN7512BXTSA1, 8 A 1, SOT-23, 5 Pin 20 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-7149
Codice costruttore:
1EDN7512BXTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Driver gate half bridge

Corrente di uscita

8A

Numero pin

5

Tempo di discesa

4.5ns

Tipo di package

SOT-23

Tempo di salita

6.5ns

Tensione minima di alimentazione

4.5V

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

20V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.45mm

Standard/Approvazioni

No

Serie

1EDN751x

Lunghezza

2.9mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

I driver gate MOSFET Infineon a 1 canale sono il collegamento Crucial tra gli IC di controllo e i potenti dispositivi di commutazione MOSFET e GAN. Gli IC per driver gate consentono un'elevata efficienza a livello di sistema, un'eccellente densità di potenza e una robustezza uniforme del sistema.

SMPS ad alta efficienza abilitati da velocità di risposta brevi 5 ns Precisione del ritardo di propagazione di ±5ns per MOSFET e GAN rapidi commutazione

Le uscite source e sink separate semplificano la progettazione dell'applicazione

Pacchetti standard industriali e piedini di uscita facilitano gli aggiornamenti della progettazione del sistema

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