onsemi AEC-Q100 Modulo IGBT IGBT, 1.9 A 2, SOIC, 8 Pin 20 V

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
221-6667
Codice costruttore:
NCV57201DR2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente di uscita

1.9A

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Numero di uscite

2

Tipo di driver

IGBT

Tempo di salita

13ns

Tensione minima di alimentazione

20V

Numero driver

2

Tensione massima di alimentazione

20V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Altezza

1.75mm

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

on Semiconductor NCx57201 è un driver gate ad alta tensione con un driver gate low side non isolato da− e un driver gate high side o low side con isolamento galvanico. È in grado di pilotare direttamente due IGBT in una configurazione half-bridge. Il driver high side isolato può essere alimentato con un alimentatore isolato o con la tecnica bootstrap dall'alimentatore low side. L'isolamento galvanico per il driver gate high side garantisce una commutazione affidabile in applicazioni ad alta potenza per IGBT che funzionano fino a 800 V, ad alta dv/dt.

Ritardo di propagazione adattato 90 ns

Filtro a larghezza di impulsi da 20 ns incorporato minimo−

Segnale di uscita invertente non−

CMTI fino a 100 kV/s.

Funzionamento affidabile per un'oscillazione negativa VS di −800 V.

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