Infineon MOSFET 2ED2181S06FXUMA1 MOSFET, 2.5 A 2, DSO, 8 Pin 20V
- Codice RS:
- 226-6025
- Codice costruttore:
- 2ED2181S06FXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6025
- Codice costruttore:
- 2ED2181S06FXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 2.5A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 30ns | |
| Tipo di package | DSO | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tempo di salita | 15ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 20V | |
| Numero driver | 2 | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Altezza | 1.72mm | |
| Serie | 2ED2181S06F | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 2.5A | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 30ns | ||
Tipo di package DSO | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tempo di salita 15ns | ||
Tensione minima di alimentazione 20V | ||
Numero driver 2 | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Altezza 1.72mm | ||
Serie 2ED2181S06F | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon 2ED2181S06F è un MOSFET di potenza ad alta tensione e alta velocità e un driver IGBT con canali di uscita indipendenti high-side e low-side. Si basa sulla tecnologia SOI e offre un'eccellente robustezza e immunità ai disturbi con la capacità di mantenere la logica operativa a tensioni negative fino a - 11 pin von VS su tensione transitoria. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulso elevata progettato per una conduzione incrociata minima del driver.
Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap
Tensioni d'esercizio (nodo VS) fino a + 650 V.
Massima tensione di bootstrap (nodo VB) di + 675 V.
Diodo bootstrap ultra-rapido e a bassa resistenza integrato
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