Infineon No Driver per MOSFET e IGBT di potenza ad alta velocità MOSFET, 2 A, SOIC, 16 Pin 1225 V

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Packaging Options:
Codice RS:
226-6159P
Codice costruttore:
IR2213STRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Driver per MOSFET e IGBT di potenza ad alta velocità

Corrente di uscita

2A

Numero pin

16

Tempo di discesa

17ns

Tipo di package

SOIC

Numero di uscite

2

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

25ns

Tensione minima di alimentazione

20V

Tensione massima di alimentazione

1225V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Larghezza

7.6 mm

Lunghezza

10.5mm

Serie

IR2213(S)PBF

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.65mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Infineon IR2213(S) è un MOSFET di potenza ad alta velocità e alta tensione con driver IGBT e canali di uscita con riferimento high side e low side indipendenti. Le tecnologie HVIC proprietarie e CMOS immune al latch consentono una robusta struttura monolitica. Gli ingressi logici sono compatibili con uscite CMOS o LSTTL standard, fino a 3,3 V logici.

Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap

Completamente operativo a +1200 V.

Tolleranza alla tensione transitoria negativa immune dV/dt

Gamma di alimentazione dello stadio pilota da 12 V a 20 V.

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