Infineon No Gate driver IRS2008SPBF MOSFET, 600 mA, SOIC, 8 Pin 20 V

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Codice RS:
226-6175
Codice costruttore:
IRS2008SPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Gate driver

Corrente di uscita

600mA

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Tempo di discesa

90ns

Numero di uscite

2

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

170ns

Tensione minima di alimentazione

20V

Tensione massima di alimentazione

20V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.75mm

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

IRS2008

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Infineon IRS2008 è un MOSFET di potenza ad alta tensione e alta velocità e un driver IGBT con canale di uscita di riferimento high-side e low-side dipendente. Le tecnologie HVIC proprietarie e CMOS immune al latch consentono una robusta struttura monolitica. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino a 3,3 V logici. Il driver di uscita è dotato di uno stadio buffer a corrente di impulso elevata progettato per una conduzione incrociata minima del driver.

Tolleranza alla tensione transitoria negativa

Progettato per l'uso con alimentatori bootstrap

Logica di prevenzione a conduzione incrociata

Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali

Tempo morto interno impostato

Uscita high-side in fase con ingresso

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