Infineon No Modulo Driver gate Driver gate, 600 mA, SOIC-8, 8 Pin 20 V

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Codice RS:
257-5586
Codice costruttore:
IRS2108SPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo Driver gate

Corrente di uscita

600mA

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC-8

Tempo di discesa

35ns

Tipo di driver

Driver gate

Tensione minima di alimentazione

10V

Tensione massima di alimentazione

20V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I driver a semiponte Infineon sono driver per MOSFET e IGBT di potenza ad alta tensione e ad alta velocità con canali di uscita dipendenti riferiti al lato alto e basso. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio tampone ad alta corrente di impulso progettato per ridurre al minimo la conduzione incrociata del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per pilotare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side, che funziona fino a 600 V.

Tollerante alle tensioni transitorie negative, immune a dV/dt

Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 V a 20 V

Blocco sottotensione per entrambi i canali

Compatibile con ingresso logico a 33 V, 5 V e 15 V

Logica di prevenzione della conduzione incrociata

Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali

Uscita high-side in fase con ingresso HIN

Uscita low-side fuori fase con ingresso LIN

Messa a terra logica e di potenza +/- 5 V offset

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