Driver gate MOSFET IRS2106STRPBF, 290 mA, 20V, SOIC, 8-Pin

Infineon IRS2106 è un MOSFET di potenza ad alta tensione e alta velocità e un driver IGBT con canali di uscita indipendenti di riferimento high-side e low-side. Le tecnologie HVIC proprietarie e CMOS immune al latch consentono una robusta struttura monolitica. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino a 3,3 V logici. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulso elevata progettato per una conduzione incrociata minima del driver.

Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap
Completamente operativo fino a +600 V
Tollerante alla tensione transitoria negativa, immune DV/dt
Gamma di alimentazione dello stadio pilota da 10 a 20 V