Infineon Gate driver IRS2110STRPBF MOSFET, 2 A, PDIP, 14 Pin 300mV

Questo gate driver fornisce la capacità di azionamento MOSFET a doppio canale per applicazioni di commutazione di potenza, progettato per l'interfaccia tra il controllo a livello logico e i transistor di potenza, operando in un ampio intervallo di temperatura. Viene fornito come dispositivo PDIP a 14 pin progettato per il montaggio superficiale e offre prestazioni mirate per i sistemi che richiedono un azionamento di uscita moderato e transizioni di commutazione rapide.

• Le uscite doppie forniscono una corrente di azionamento di 2 A per una commutazione MOSFET efficiente
• Il requisito di alimentazione minimo di 10 V garantisce livelli di azionamento gate stabili
• Il tempo di salita di 25 ns consente l'accensione rapida per ridurre le perdite di commutazione
• Il tempo di caduta di 25 ns produce uno spegnimento rapido per limitare la conduzione incrociata
• Funziona da -40 a 125 °C per ambienti ad alta temperatura
• La struttura conforme alla direttiva RoHS supporta processi di produzione regolamentati

• Adatto per l'azionamento di MOSFET di potenza nei controllori di motori
• Ideale per l'uso nelle fasi di gate del convertitore CC-CC
• Utilizzato con interruttori di potenza half-bridge e full-bridge
• Può essere utilizzato per il controllo del gate dell'inverter industriale
• Utilizzato per circuiti di azionamento gate con modulazione a larghezza di impulso

È fornito in un contenitore PDIP a 14 pin adatto per fori passanti o disposizioni di montaggio superficiale compatibili.

Ogni uscita può generare o dissipare fino a 2 A per azionare direttamente i comuni gate MOSFET.

Il driver richiede un'alimentazione minima di 10 V ed è specificato con un riferimento di soglia a bassa tensione di 0,3 V massimo per alcuni livelli interni.

Il dispositivo è classificato per funzionare fino a un massimo di 125 °C, consentendo l'implementazione in sistemi termicamente impegnativi.