Driver gate MOSFET IRS2110STRPBF, 2 A, 20V, SOIC 16, 14-Pin

Infineon IRS2110 è un MOSFET di potenza ad alta tensione e velocità e un driver IGBT con canali di uscita indipendenti high-side e low-side referenziati. Le tecnologie HVIC proprietarie e CMOS immune al latch consentono una robusta struttura monolitica. Gli ingressi logici sono compatibili con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino a 3,3 V logici. Il driver di uscita è dotato di uno stadio buffer a corrente di impulso elevata progettato per una conduzione incrociata minima del driver.

Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap
Completamente operativo a +500 V o +600 V.
Tollerante alla tensione transitoria negativa, immune DV/dt
Gamma di alimentazione dello stadio pilota da 10 a 20 V
Blocco di sicurezza contro sottotensione per entrambi i canali