onsemi AEC-Q100 Modulo IGBT NCD57090DDWR2G IGBT, 6.5 A, SOIC, 8 Pin 20 V
- Codice RS:
- 230-9046
- Codice costruttore:
- NCD57090DDWR2G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 230-9046
- Codice costruttore:
- NCD57090DDWR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli Prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente di uscita | 6.5A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 13ns | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo di driver | IGBT | |
| Numero di uscite | 5 | |
| Tempo di salita | 13ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 20V | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | NCD57090 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente di uscita 6.5A | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 13ns | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo di driver IGBT | ||
Numero di uscite 5 | ||
Tempo di salita 13ns | ||
Tensione minima di alimentazione 20V | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie NCD57090 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
La serie NCD57090D on Semiconductor è costituita da gate driver IGBT a canale singolo con corrente elevata di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come il morsetto attivo Miller (NCD57090D).
Migliora l'efficienza del sistema
Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso
Migliora l'integrità del segnale PWM
Elevata immunità ai transienti e ai disturbi elettromagnetici
Robustezza in applicazioni di commutazione ad alta tensione e corrente elevata con velocità di risposta rapida
Isolamento galvanico on-chip da 5 kVrms
Consente di risparmiare sui costi e lo spazio sulla scheda offrendo al contempo prestazioni migliori rispetto ai driver ottici
Ampia gamma di tensioni di polarizzazione e gamma di tensioni di ingresso
Offre flessibilità di progettazione del sistema e consente l'uso di guide di tensione di sistema comunemente disponibili
Morsetto Miller attivo o tensione gate negativa o uscite separate
Offre una scelta nella scelta della funzione giusta in un contenitore compatto
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