onsemi AEC-Q100 Modulo IGBT IGBT, 6.5 A, SOIC, 8 Pin 22V

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

1458,00 €

(IVA esclusa)

1779,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 28 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +1,458 €1.458,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
221-6595
Codice costruttore:
NCD57090ADWR2G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente di uscita

6.5A

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Tempo di discesa

13ns

Tipo di driver

IGBT

Tempo di salita

13ns

Tensione minima di alimentazione

22V

Tensione massima di alimentazione

22V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Serie

NCD57090

Lunghezza

5mm

Altezza

1.75mm

Standard/Approvazioni

No

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

I modelli NCD57090 on Semiconductor sono gate driver IGBT/MOSFET a canale singolo con corrente elevata di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. Il dispositivo accetta ingresso complementare e, a seconda della configurazione dei pin, offre opzioni come morsetto attivo Miller, alimentatore negativo e uscita driver alta e bassa separata per la massima praticità di progettazione del sistema.

Elevata immunità ai transienti

Elevata immunità elettromagnetica

Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.