onsemi AEC-Q100 Modulo IGBT NCV57090BDWR2G IGBT, 6.5 A 1, SOIC, 8 Pin 22 V

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Packaging Options:
Codice RS:
221-6664
Codice costruttore:
NCV57090BDWR2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente di uscita

6.5A

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Tempo di discesa

13ns

Tipo di driver

IGBT

Numero di uscite

5

Tempo di salita

13ns

Tensione minima di alimentazione

22V

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

22V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

7.6mm

Altezza

2.65mm

Larghezza

6.05 mm

Standard/Approvazioni

No

Serie

NCx57090y

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

I modelli NCD57090 on Semiconductor sono gate driver IGBT/MOSFET a canale singolo con corrente elevata di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. Il dispositivo accetta ingresso complementare e, a seconda della configurazione dei pin, offre opzioni come morsetto attivo Miller, alimentatore negativo e uscita driver alta e bassa separata per la massima praticità di progettazione del sistema.

Elevata immunità ai transienti

Elevata immunità elettromagnetica

Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso

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