onsemi AEC-Q100 Modulo IGBT NCV57090ADWR2G IGBT, 6.5 A 1, SOIC, 8 Pin 22V
- Codice RS:
- 221-6662
- Codice costruttore:
- NCV57090ADWR2G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 221-6662
- Codice costruttore:
- NCV57090ADWR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente di uscita | 6.5A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tempo di discesa | 13ns | |
| Tipo di driver | IGBT | |
| Tempo di salita | 13ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 22V | |
| Numero driver | 1 | |
| Tensione massima di alimentazione | 22V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Altezza | 2.65mm | |
| Lunghezza | 7.6mm | |
| Serie | NCx57090y | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente di uscita 6.5A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tempo di discesa 13ns | ||
Tipo di driver IGBT | ||
Tempo di salita 13ns | ||
Tensione minima di alimentazione 22V | ||
Numero driver 1 | ||
Tensione massima di alimentazione 22V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Altezza 2.65mm | ||
Lunghezza 7.6mm | ||
Serie NCx57090y | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
I modelli NCD57090 on Semiconductor sono gate driver IGBT/MOSFET a canale singolo con corrente elevata di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. Il dispositivo accetta ingresso complementare e, a seconda della configurazione dei pin, offre opzioni come morsetto attivo Miller, alimentatore negativo e uscita driver alta e bassa separata per la massima praticità di progettazione del sistema.
Elevata immunità ai transienti
Elevata immunità elettromagnetica
Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso
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