Infineon No MOSFET 1EDN7116GXTMA1 MOSFET, 2 A, PG-VSON-10, 11 Pin 11 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
240-8518
Codice costruttore:
1EDN7116GXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

2A

Numero pin

11

Tempo di discesa

3ns

Tipo di package

PG-VSON-10

Tipo di driver

MOSFET

Tensione minima di alimentazione

11V

Tensione massima di alimentazione

11V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon EiceDRIVER™ 1EDN7116G è un IC gate driver a canale singolo ottimizzato per la compatibilità con HEMT CoolGaN™, è inoltre compatibile con altri GaN HEMT di schottky gate (SG) e MOSFET in silicio. Grazie al vero ingresso differenziale (TDI), lo stato di uscita del gate driver è controllato esclusivamente dalla differenza di tensione tra i due ingressi, indipendentemente dal potenziale di riferimento del driver (massa) purché la tensione di modo comune sia inferiore a 150 V (statica) e 200 V (dinamica). In questo modo si elimina il rischio di false attivazioni dovute al rimbalzo di massa nelle applicazioni low-side, consentendo al dispositivo 1EDN7116G di affrontare anche le applicazioni high-side.

Evitare la falsa attivazione nel funzionamento low-side o high-side

Elevata gamma di tensioni di ingresso in modalità comune per il funzionamento

Funzionamento affidabile durante la commutazione rapida dei transienti

Compatibile con logica di ingresso da 3,3 V o 5 V

Morsetto Miller attivo con capacità di dissipazione da 5 A per evitare l'accensione indotta

Pompa di carica regolabile per la tensione di alimentazione allo spegnimento negativa

Adatto per l'azionamento di HEMT GaN o MOSFET Si

Qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni target

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