DiodesZetex No MOSFET MOSFET, 2.3 A 2, SO-8, 8 Pin 20 V
- RS Stock No.:
- 246-6754
- Mfr. Part No.:
- DGD2181S8-13
- Brand:
- DiodesZetex
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- Mfr. Part No.:
- DGD2181S8-13
- Brand:
- DiodesZetex
Specifications
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 2.3A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tempo di discesa | 20ns | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tensione minima di alimentazione | 10V | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Numero driver | 2 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 2.3A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tempo di discesa 20ns | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tensione minima di alimentazione 10V | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Numero driver 2 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
DiodesZetex DGD2181 è un driver gate ad alta tensione/alta velocità in grado di azionare MOSFET a canale N e IGBT in una configurazione half-bridge. Le tecniche di elaborazione ad alta tensione consentono al lato alto del DGD2181 di passare a 600 V in un funzionamento bootstrap. Gli ingressi logici sono compatibili con i livelli TTL e CMOS standard (fino a 3,3 V) per una facile interfaccia con i dispositivi di controllo. Le uscite del driver sono dotate di buffer di corrente ad impulsi elevati progettati per una conduzione incrociata minima del driver. È offerto in un contenitore SO-8 e la temperatura d'esercizio va da -40 °C a +125 °C.
Driver flottante high-side in funzionamento bootstrap a 600 V Aziona due MOSFET a canale N o IGBT in una configurazione half-bridge Capacità di corrente di uscita di sorgente 1,9 A / dissipatore 2,3 A Uscite tolleranti ai transienti negativi, driver gate low-side ampio e alimentazione logica di ingresso logico da 10 V a 20 V (HIN e lIN) Capacità di 3,3 V
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