Driver gate MOSFET DGD2181S8-13, CMOS, TTL, 1,9 A, 2,3 A, 10 → 20V, SO8, 8-Pin

Il driver di gate trifase di DiodesZetex è progettato per applicazioni ad alta tensione o ad alta velocità, per pilotare MOSFET e IGBT a canale N in una configurazione a mezzo ponte. Le tecniche di elaborazione ad alta tensione consentono al dispositivo high side di passare a 600 V in un funzionamento bootstrap. Gli ingressi logici sono compatibili con i livelli TTL e CMOS standard (fino a 3,3 V) per una facile interfaccia con i dispositivi di controllo. Le uscite del driver sono dotate di buffer di corrente ad impulsi elevati progettati per una conduzione incrociata minima del driver. È offerto in un contenitore SO-8 e la temperatura d'esercizio va da -40 °C a +125 °C.

Driver flottante high-side in funzionamento bootstrap a 600 V Aziona due MOSFET a canale N o IGBT in una configurazione half-bridge Capacità di corrente di uscita di sorgente 1,9 A / dissipatore 2,3 A Uscite tolleranti ai transienti negativi, driver gate low-side ampio e alimentazione logica di ingresso logico da 10 V a 20 V (HIN e lIN) Capacità di 3,3 V