MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 21 mΩ Miglioramento, 10 A, 8 Pin, SO-8, Superficie DMT616MLSS-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-0157
Codice costruttore:
DMT616MLSS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

DMT616

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.39W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.6nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.85 mm

Lunghezza

5.9mm

Altezza

1.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N a 8 pin DiodesZetex 60V è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è 20V con dissipazione di potenza termica di 1,39 W.

Elevata velocità di commutazione

Bassa capacità di ingresso

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