MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 34 mΩ Miglioramento, 6.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie
- Codice RS:
- 206-0090
- Codice costruttore:
- DMN6022SSS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 206-0090
- Codice costruttore:
- DMN6022SSS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | DMN6022 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 34mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.3W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.4mm | |
| Lunghezza | 4.85mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie DMN6022 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 34mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.3W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.4mm | ||
Lunghezza 4.85mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 60V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con una dissipazione di potenza termica di 1,3 W.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità di ingresso
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