MOSFET DiodesZetex, canale N 60 V, 34 mΩ Miglioramento, 6.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
206-0090
Codice costruttore:
DMN6022SSS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

DMN6022

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.8mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.4mm

Lunghezza

4.85mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 60V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con una dissipazione di potenza termica di 1,3 W.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità di ingresso

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