MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 26 mΩ Miglioramento, 6.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
262-6737
Codice costruttore:
IRF7473TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4 mm

Altezza

1.75mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon presenta vantaggi quali una bassa corrente di azionamento del gate grazie alla caratteristica di carica del gate migliorata, una maggiore robustezza a valanga e dv/dt dinamico e una tensione e corrente a valanga completamente caratterizzate.

Resistenza all'accensione estremamente bassa

Commutazione ad alta velocità

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