MOSFET Infineon, canale N 100 V, 26 mΩ Miglioramento, 6.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
262-6737
Codice costruttore:
IRF7473TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

6.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.75mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon presenta vantaggi quali una bassa corrente di azionamento del gate grazie alla caratteristica di carica del gate migliorata, una maggiore robustezza a valanga e dv/dt dinamico e una tensione e corrente a valanga completamente caratterizzate.

Resistenza all'accensione estremamente bassa

Commutazione ad alta velocità

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