MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 26 mΩ Miglioramento, 6.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
262-6737
Codice costruttore:
IRF7473TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1.75mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon presenta vantaggi quali una bassa corrente di azionamento del gate grazie alla caratteristica di carica del gate migliorata, una maggiore robustezza a valanga e dv/dt dinamico e una tensione e corrente a valanga completamente caratterizzate.

Resistenza all'accensione estremamente bassa

Commutazione ad alta velocità

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