MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 17.8 mΩ Miglioramento, 8 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
273-2806
Codice costruttore:
IRF7351TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Paese di origine:
PH
Quello di Infineon è un MOSFET di potenza HEXFET a canale N da 60 V. Questo MOSFET viene utilizzato per i sistemi di azionamento dei motori a bassa potenza e per i convertitori isolati CC-CC.

Impedenza di gate ultra bassa

Valore nominale massimo gate 20 V VGS

Tensione e corrente a valanga completamente caratterizzate

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