MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 17.8 mΩ Miglioramento, 8 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

5,10 €

(IVA esclusa)

6,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 20 unità in spedizione dal 13 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,02 €5,10 €
50 - 950,932 €4,66 €
100 - 4950,854 €4,27 €
500 - 19950,73 €3,65 €
2000 +0,716 €3,58 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-2806
Codice costruttore:
IRF7351TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Paese di origine:
PH
Quello di Infineon è un MOSFET di potenza HEXFET a canale N da 60 V. Questo MOSFET viene utilizzato per i sistemi di azionamento dei motori a bassa potenza e per i convertitori isolati CC-CC.

Impedenza di gate ultra bassa

Valore nominale massimo gate 20 V VGS

Tensione e corrente a valanga completamente caratterizzate

Link consigliati