MOSFET Infineon, canale N 40 V, 21 mΩ Miglioramento, 9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
217-2606
Codice costruttore:
IRF7469TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

4.9mm

Larghezza

3.9mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.75mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 40V in contenitore SO-8.

Bassissima impedenza gate

RDS(on) molto bassa

Tensione con effetto valanga completamente caratterizzato e corrente

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