MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 9 mΩ Miglioramento, 14 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
217-2604
Codice costruttore:
IRF7458TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.9 mm

Altezza

1.75mm

Lunghezza

4.9mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 30V in contenitore SO-8.

Bassissima impedenza gate

RDS(on) molto bassa

Tensione con effetto valanga completamente caratterizzato e corrente

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