MOSFET Infineon, canale P, 35 mΩ, 8 A, SO-8, Montaggio superficiale

La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Questi MOSFET di potenza HEXFET a canale P di International Rectifier utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza all'accensione molto bassa per area di silicio. Questo vantaggio offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente per l'uso in applicazioni di gestione batteria e carico. Il contenitore SO-8 è stato modificato con un telaio personalizzato per migliori proprietà termiche e capacità di multi-die che lo rendono ideale in una varietà di applicazioni di potenza. Con questi miglioramenti, i dispositivi multipli possono essere usati in un'applicazione con riduzione notevole dello spazio sulla scheda. Il contenitore è progettato per tecniche di saldatura con fase vapore, a raggi infrarossi o a onda.

Vantaggi:
MOSFET a canale P

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.