MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 35 mΩ Miglioramento, 8 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI4435DYTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1913
Codice costruttore:
SI4435DYTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

Si4435DYPbF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

Non conforme

Infineon SI4435DY è un MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo 30V in contenitore SO-8. Questi MOSFET di potenza HEXFET a canale P da International Rectifier utilizzano Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio.

MOSFET a canale P.

Per montaggio superficiale

Disponibilità su nastro e bobina

Senza piombo

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