MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 280 mΩ Miglioramento, 1.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

1036,00 €

(IVA esclusa)

1264,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4000 +0,259 €1.036,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
262-6735
Codice costruttore:
IRF7465TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.75mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon ha una bassa carica gate-drain per ridurre le perdite di commutazione. È adatto per l'uso con convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza.

Tensione e corrente a valanga completamente caratterizzate

Link consigliati