MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 280 mΩ Miglioramento, 1.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie IRF7465TRPBF

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

17,95 €

(IVA esclusa)

21,90 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3975 unità in spedizione dal 12 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 1000,718 €17,95 €
125 - 2250,682 €17,05 €
250 - 6000,652 €16,30 €
625 - 12250,625 €15,63 €
1250 +0,415 €10,38 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-6736
Codice Distrelec:
304-41-668
Codice costruttore:
IRF7465TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1.75mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon ha una bassa carica gate-drain per ridurre le perdite di commutazione. È adatto per l'uso con convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza.

Tensione e corrente a valanga completamente caratterizzate

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.