MOSFET Infineon, canale N 150 V, 280 mΩ Miglioramento, 1.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie IRF7465TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-6736
Codice Distrelec:
304-41-668
Codice costruttore:
IRF7465TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.75mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon ha una bassa carica gate-drain per ridurre le perdite di commutazione. È adatto per l'uso con convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza.

Tensione e corrente a valanga completamente caratterizzate

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