MOSFET Infineon, canale N 150 V, 90 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
262-6732
Codice costruttore:
IRF7451TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

90mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5mm

Altezza

1.75mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon ha una bassa carica gate-drain per ridurre le perdite di commutazione. È adatto per l'uso con convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza.

Tensione e corrente a valanga completamente caratterizzate

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